index - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications Accéder directement au contenu

CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

Derniers dépôts

Chargement de la page

Documents en texte intégral

327

Notices

451

Statistiques par discipline

Mots clés

Tunnel junction Zinc oxide Schottky barrier diode Excitons Bullseye antennas 6H-SiC Nitrures d'éléments III Gallium nitride GaN Nanoparticles Bending Defects Silicon carbide Millimeter-wave power density Holography AlN Quantum dots Molecular beam epitaxy Épitaxie Épitaxie par jets moléculaires Nitrides High electron mobility transistors High electron mobility transistor HEMT MOCVD Transmission electron microscopy 2D materials Transistor Metasurface ZnO Quantum wells Croissance Silicon Gallium nitride Nanowire Epitaxy LPCVD Nitrure de gallium Group III-nitrides Graphene Microcavity Heterostructures HEMT Electron holography Contraintes CRYSTALS DLTFS Characterization Doping High electron mobility transistor Diodes électroluminescentes Semiconducteurs Spectroscopy Boîtes quantiques MBE Cathodoluminescence Atom probe tomography Semiconductors Boron nitride III-N III-nitrides Atomic force microscopy GaN HEMT Nanostructures Selective area growth Diffraction Aluminum nitride Chemical vapor deposition Chemical vapor deposition processes LED Coalescence Creep Microscopie électronique en transmission Silica GaN-on-Si Caractérisation InGaN Silicium Metasurfaces Light emitting diodes Metalens Al Electrical properties and parameters GaN Traps Photoluminescence Compressive stress Optical properties Dislocations III-nitride semiconductors 3C–SiC Strong coupling Aluminum gallium nitride CVD Free-standing GaN Normally-off AlGaN/GaN Molecular beam epitaxy MBE LEDs AlGaN AlGaN/GaN HEMT Bond order wave